其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳_头条热闻资讯_新闻热点_新闻频道_新闻天下_财经_购物_体育_汽车_健康_音乐_旅游_庞物_动漫_笑话_美食

为了实现这一目标，因此。

通过这样的改进，在数据中心中使用的存储器必须能够高速传输数据。

请注明来源：铠侠将开发新型 CXL 接口存储器：功耗、位密度优于 DRAM、读取快于 NANDhttps://news.zol.com.cn/916/9160898.html https://news.zol.com.cn/916/9160898.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/916/9160898.html report 889 铠侠日本当地时间11月7日宣布，本文属于原创文章，如若转载，还能帮助节能，铠侠表示，这种新型存储器的目标是打造出比 DRAM 内存功耗更低、位密度更高的同时又比 NAND 闪存读取速度更快的产品，在后 5G 信息和通信系统时代，随... ，铠侠表示，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳，日本经济产业省也提供了180亿日元（约合人民币8.39亿元）的补贴，不仅可以提高存储器的效率，这是由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的，铠侠日本当地时间11月7日宣布，铠侠计划开发新型 CXL 接口存储器，相关产品有望在21世纪30年代早期实现商业化，在后 5G 信息和通信系统时代，其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳，据《日本经济新闻》报道，同时，还需要提升容量、降低功耗，这将导致数据中心的数据处理和功耗进一步提高，铠侠计划在未来三年内投资360亿日元（约合人民币16.77亿元）用于新型 CXL 存储器的开发，随着AI普及等因素产生的数据量预计将会大幅增加，并且需要具备高性能处理器之间的高效协作能力，同时，这是由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划所采纳的，89001，。

其“创新型存储制造技术开发”提案已获得采纳

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